Al/SiO2/p-Si (MIS) YAPILARDA ARAYÜZEY DURUMLARININ YOĞUNLUK DAĞILIM PROFİLİ
ON THE DENSITY DISTRIBUTION PROFILES OF INTERFACE STATES |
Ara Yüzey Durumları, Gevşeme Zamanı, İletkenlik Yöntemi, Seri Direnç, İnce Yalıtkan Tabaka, |
Interface States, Relaxation Time, Conductance Method, Series Resistance, Thin Insulator Layer, |
Engineering Sciences, Year : 2009, Volume : 4, Issue : 4, Published Date : 1.10.2009 |
|